G-31B6型高精密光刻機

產(chǎn)品介紹：

設(shè)備概述

本設(shè)備廣泛用于各大、中、小型企業(yè)、大專院校、科研單位，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產(chǎn)。

主要構(gòu)成 本設(shè)備為板板對準(zhǔn)雙面曝光

曝光頭部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對準(zhǔn)工作臺

1.適用范圍廣

適用于φ160mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準(zhǔn)曝光，雙面可同時曝光，亦可用于單面曝光。

2.結(jié)構(gòu)穩(wěn)定

Z軸采用滾珠直進式導(dǎo)軌和可實現(xiàn)硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構(gòu)，真空吸版，防粘片機構(gòu)。

3.操作簡便

X\Y移動、Q轉(zhuǎn)、Z軸升降采用手動方式；吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調(diào)試、維護、修理都非常簡便。 4. 可靠性高

精密的機械零件，使本機運行具有非常高的可靠性。

除標(biāo)準(zhǔn)承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面

1、工作臺行程(X向、Y向/Z向/θ向）：±5mm/10mm/±5°；

2、適用基片尺寸: ≤6英寸；

3、掩模版尺寸：≤ 7″（175×175 mm）；

4、對準(zhǔn)精度（正面對準(zhǔn)/背面對準(zhǔn)）:±2um/±3um；

5、放大倍率:51×～570×(ccd連續(xù))；

6、曝光光源:UV365，500W**壓汞燈；

7、曝光面積:φ160mm；

8、曝光分辨率:2 um（膠厚≤1 um，正膠、真空接觸）；

9、光強 :≥ 5mW/cm2；

10、曝光不均勻性:±5%；

11、曝光時間:0～999.9s；